Growth and structural characteristics of metastableβ-In2Se3 thin films on H-terminated Si(111)substr

来源 :中国物理B:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lianzi0118

【摘要】

：

Epitaxial growth and structural characteristics of metastableβ-In2Se3 thin films on H-terminated Si(111)substrates are studied.The In2Se3 thin films grown belo

【作者】

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沈逸凡尹锡波徐超凡贺靖李俊烨李含冬朱小红牛晓滨

【机构】

：

CollegeofMaterialsScienceandEngineering,SchoolofMaterialsandEnergy

【出处】

：

中国物理B:英文版

【发表日期】

：

2020年5期

【关键词】

：

In2Se3 molecular beam epitaxy SINGLE-CRYSTALLINE annealing and quench phase tran

【基金项目】

：

Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant Nos.2018YFA0306102 and 2018YFA0306703),the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61474014 and U16

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Epitaxial growth and structural characteristics of metastableβ-In2Se3 thin films on H-terminated Si(111)substrates are studied.The In2Se3 thin films grown below theβ-to-αphase transition temperature(453 K)are characterized to be strainedβ-In2Se3 mixed wit

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