用XANES研究Ga（1-x）MnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

来源 :中国科学技术大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aegon2010

【摘要】

：

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga（1-x）MnxN（x=0．01，0．25，0．10）稀磁半导体中Mn原子的局域结构．结果表明在低Mn含量（摩尔浓度）的Ga0.990Mn0．010N样品中，Mn原子替代了GaN中的Ga，以替位形

【作者】

：

闫文盛孙治湖刘庆华钟文杰潘志云韦世强

【机构】

：

中国科学技术大学国家同步辐射实验室

【出处】

：

中国科学技术大学学报

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

稀磁半导体 X射线吸收近边谱局域结构 dilute magnetic semiconduetors X-ray absorption near-edge lo

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利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga（1-x）MnxN（x=0．01，0．25，0．10）稀磁半导体中Mn原子的局域结构．结果表明在低Mn含量（摩尔浓度）的Ga0.990Mn0．010N样品中，Mn原子替代了GaN中的Ga，以替位形式存在．当Mn含量增加到0．025时，部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位，并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体．当Mn含量进一步增加到0．100时，样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在．

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