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对近空间升华法制备的大面积（30×40cm2）CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理，用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件，退火方式对薄膜结构和器件性能的影响．结果表明：刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相，沿着（111）方向择优取，向而退火后（111）（220）（311）等峰都有不同程度的增加．在纯氧气氛下，400℃退火还出现了新峰．随着退火温度的增加，电导激活能降低．经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池，1／C2和V成线性关系，具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率