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基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路.该电路采用0.6μm CSMC-HJ N阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右;在-55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下,电路温度系数仅为7×10-6/℃;电源电压范围为4V～6V,在产生标称1.25V基准电压的同时,可以为负载提供1mA～2mA的电流驱动能力.