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研究了射频磁控溅射膜(Ni81Fe19)100-Nbx的各向异性磁阻效应AMR、矫顽力Hc、饱和磁化强度4xms和饱和磁化场H。研究其作为磁阻磁头材料和低磁场高灵敏度材料的可能性。我们发现Nb的含量对(Ni81Fe19)100-xNbx的各向异性磁阻效应AMR=2%、矫顽力Hc=119A/m和饱和磁化场Hx=445A/m,适宜于低磁场高灵敏度检测材料。