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英特尔和美光科技近日发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量的优盘。
英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片
【摘 要】
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英特尔和美光科技近日发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2009年9期
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