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基于对谷间散射过程的讨论，利用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了ＺｎＳ型薄膜电致发光器件中电子的谷间分布，得出了谷间分布的瞬态过程，不同电场下的谷间分布，这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据，同时，本文提出了高能谷的能量存储效应。
薄膜电致发光器件中电子的谷间分布
【摘 要】
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基于对谷间散射过程的讨论，利用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了ＺｎＳ型薄膜电致发光器件中电子的谷间分布，得出了谷间分布的瞬态过程，不同电场下的谷间分布，这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据，同时
【机 构】
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北方交通大学光电子技术研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年8期
【基金项目】
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国家“863”高技术计划资助
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