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采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10：40,20：40,30：40,40：40。利用X射线衍射仪、表面轮廓仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了样品的微结构与光学特性。研究表明：氧氩流量比为30：40的样品结晶质量最好。所制备的ZnO薄膜的可见光平均透射率均大于87%。随着氧氩流量比的增大,薄膜的透射率呈非单调变化,氧氩流量比为30：40的样品在可见光范围的平均透射率可达93%。光学带隙随着氧氩流量比的增大,先增大后减小。与块材Zn