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采用AFORS—HET软件模拟了微晶硅背场对μc-si（n）／c-si（p）异质结太阳电池性能的影响。结果显示：微晶硅背场的厚度对电池性能影响较小；而随着背场掺杂浓度的提高，短路电流和填充因子都逐渐提高，太阳电池效率随之增大；随着带隙的增大，短路电流和效率均是先增大，当带隙超过1．55ev时逐渐变小。当微晶硅背场的厚度为10nm，掺杂浓度为3×10^18／cm^3，带隙为1．55ev时，太阳电池的转化效率最高，达到21．8％。