晶圆级石墨烯电子材料与器件研究 ——中国科学院上海微系统与信息技术研究所 创新成果

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在国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”的支持下,中国科学院上海微系统与信息技术研究所谢晓明研究员研究团队开展了“晶圆级石墨烯电子材料与器件研究”(课题编号:2011ZX02707).围绕我国集成电路产业自主创新的重大需求和国家重大专项在前瞻性研究方面的部署,紧扣硅集成电路进一步延续摩尔定律面临的问题,充分发挥石墨烯优良的材料特性与硅集成电路技术相融合的特点,以电子器件应用为目标,形成新器件与电路设计和制造所需的设计、工艺、材料的综合解决方案,形成较为完整的知识产权体系,关键技术取得工程性突破并在专项先导工艺中心得到原理性验证.重点开展了石墨烯器件模型、材料制备、工艺与集成技术研究,取得了一批自主知识产权和前沿性研究成果,研制出1.5英寸石墨烯单晶、4英寸石墨烯晶圆、8英寸石墨烯薄膜、hBN单晶及石墨烯纳米线制备,获得截止频率大于150 GHz 的射频器件和石墨烯CMOS 原型器件.同时,造就了一支有一定水平的石墨烯技术研发团队,为推进我国微电子器件和集成电路技术的可持续发展和创新跨越奠定了关键基础.项目参与单位还包括中国科学院微电子研究所、西安电子科技大学、北京大学、复旦大学、南京大学、清华大学等机构.
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