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利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照，测量了C－V曲线和I－V曲线，实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照，使C－V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射线结果不同；辐射生，感生I－V曲一产生畸变，特别地，从I－V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性参明显退化，最后甚至失效，讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了解释。