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用背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜.由2 MeV4He+离子背散射/沟道分析,确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性;用低能Ar+离子溅射剥层,减薄样品外延层厚度后,再做背散射分析,可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息;二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构.