论文部分内容阅读
为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件flateraldouble-diffusedMOSFET），在已有的N型缓冲层超级结LDMOS（N-buffered．SJ．LDMOS）结构基础上，提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构（P-covered-SJ-LDMOS）．这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题，使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿，而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用，提高N型缓冲层浓度，从而降低了器件的比导通电阻．