GaAlAs血红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chen20080310

【摘要】

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在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题。对GaAlAs红外发光二极管（IRLED）功率老化前后低频噪声的测量发现，1／f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比（小电流区γ≈1，在大电

【作者】

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包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪

【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

红外发光二极管 1/f噪声功率老化陷阱 infrared LED 1/f noise power aging traps

【基金项目】

：

国家自然科学基金（60276028）,国防预研基金（51411040601DZ014）,国防科技重点实验室基金（51433030103DZ01）

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在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题。对GaAlAs红外发光二极管（IRLED）功率老化前后低频噪声的测量发现，1／f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比（小电流区γ≈1，在大电流区γ≈2），且老化后1／f噪声幅值比老化前增大2个数量级。基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IR LED的1／f噪声模型，分析结果表明GaAlAs IR LED的1／f噪声在小电流时反映体陷阱特征，大电流时反映激活区陷阱特征，l／f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱，1／f噪声可以用来

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