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考虑到半导体中内电场的存在对半无限介质和有限厚度薄膜中的正电子扩散过程，在各种边界条件下，利用δ函数法计算了正电子向表面扩用分数，这些结果为半导体多层复合结构中的慢正电子束实验结果的分析提供了理论基础。
半导体中正电子向表面的扩散
【摘 要】
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考虑到半导体中内电场的存在对半无限介质和有限厚度薄膜中的正电子扩散过程，在各种边界条件下，利用δ函数法计算了正电子向表面扩用分数，这些结果为半导体多层复合结构中的慢正
【机 构】
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中国科学院金属研究所,中国科学院国际材料物理中心
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1995年4期
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