【摘 要】
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<正> 引言 如图1所示,将功率MOSFET或者IGBT用于全增强型的高压侧开关,其栅的驱动要求,即各端子的最低电压可归纳如下: 1、栅压应比漏电压高出10～15V。高压侧开关管的栅电位通
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<正> 引言 如图1所示,将功率MOSFET或者IGBT用于全增强型的高压侧开关,其栅的驱动要求,即各端子的最低电压可归纳如下: 1、栅压应比漏电压高出10～15V。高压侧开关管的栅电位通常比系统中的最高电位──固定电平要高。 2、栅电位一般是对地而言的,必须逻辑可控。因此,控制信号应抬高到高压侧功率器件的源电位,在大多数应用中,此源电位在两固定电平间摆动。 3、栅驱动电路所消耗的功率对整体效率不能有明显的影响。 由于以上的限制,目前已采用好几种工艺可用来完成功能,原理见表Ⅰ,每一种基本电路均
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