【摘 要】
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通过PC1D模拟软件分析了硅片厚度对电池性能的影响,结果表明:随着硅片厚度减薄,硅片对光的吸收效率逐渐减弱.为了强化硅片表面的陷光能力,弥补硅衬底减薄对光吸收的损失,采用
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所,长沙410111;国家光伏装备工程技术研究中心,长沙410111
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通过PC1D模拟软件分析了硅片厚度对电池性能的影响,结果表明:随着硅片厚度减薄,硅片对光的吸收效率逐渐减弱.为了强化硅片表面的陷光能力,弥补硅衬底减薄对光吸收的损失,采用化学刻蚀法制备获得了具有纳米绒面的黑硅太阳电池.通过模拟对比厚度为80μm的黑硅电池和常规电池性能,结果表明:硅纳米长度为0.85 μm的黑硅表面平均反射率从常规制绒的12.65％降低至4.06％,黑硅电池短路电流从常规的8.693 A增加至9.104 A,黑硅电池效率从常规的18.87％提高至19.74％.
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