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直流等离子体化学气相沉积法（DC—PCVD）具有生长速率快、成膜面积大、成膜质量高、成本低等优点，是一项非常有前景的工业合成金刚石膜技术。本文采用DC—PCVD法，在硬质合金YG6基体上沉积了金刚石薄膜。通过断面形貌观察，金刚石膜厚3．35μm，平均生长速率达到0．56μm／h。金刚石膜与硬质合金基底结合紧密。Raman光谱表明，DC—PCVD法生长的金刚石膜sp2含量极低，说明金刚石膜品质较高。