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采用二次HDDR工艺(简称“t-HDDR工艺”)制备了高矫顽力各向异性钕铁硼磁粉。研究了化学成分和工艺参数对磁粉性能的影响。结果表明:t-HDDR工艺对于化学成分为RxTbalByMz的磁粉均适用;稀土元素R(Pr、Nd、Dy等)与低熔点添加元素M(Ga、Cu、Al等)含量越多,t-HDDR工艺对磁粉矫顽力的提升幅度越大;在t-HDDR工艺的首次HDDR工艺中,实施“完全脱氢”工序,可以最大限度地提升磁粉的矫顽力;相对于常规的单次HDDR工艺,t-HDDR工艺可使RxTbalByMz系各向异性钕铁硼磁粉的