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参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力，热膨性能不同引起的热应力成硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边级区域的应力计算表达式，用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图，理论能较好地解释实验结果。
硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究
【摘 要】
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参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力，热膨性能不同引起的热应力成硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边级区域
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
：
红外与毫米波学报
【发表日期】
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1998年1期
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