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本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。
α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究
【摘 要】
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本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-Si
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系武汉430074,武汉430074,武汉430074
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1992年5期
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