一种新型的CMOS集成湿度传感器

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：loveging87

【摘要】

：

利用MEMS技术 ,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造 ,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构 ,衬底接地 ,感湿介

【作者】

：

顾磊秦明黄庆安

【机构】

：

东南大学MEMS教育部重点实验室

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2003年Z1期

【关键词】

：

湿度传感器 CMOS IC 集成 MEMS

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利用MEMS技术 ,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造 ,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构 ,衬底接地 ,感湿介质采用聚酰亚胺 ,利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路 ,输出可测电压信号 ,利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系

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