论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3（STO）衬底和硅（Si）衬底上制备出不同取向的SrRuO3（SRO）薄膜，对薄膜的残余应力进行了分析，并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响。根据X射线衍射（XRD）结果分析可知，Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜，且应力来源主要为热失配拉应力；STO基SRO薄膜为外延薄膜，其应力主要为热失配压应力和外延压应力；磁学性能测试表明，（001）取向SRO薄膜比（110）取向薄膜拥有更高的居里温度Tc；压应力提高Y（001）取向SRO薄膜的TC，却降低了