【摘 要】
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在2008年6月于美国亚特兰大举办的MTT-S展览会上,英飞凌公司首次展出了用于全球移动通信系统/全球移动通信系统增强数据速率(GSM/EDGE)的频段为920~960MHz和1805~1880MHz的LD
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在2008年6月于美国亚特兰大举办的MTT-S展览会上,英飞凌公司首次展出了用于全球移动通信系统/全球移动通信系统增强数据速率(GSM/EDGE)的频段为920~960MHz和1805~1880MHz的LDMOS RF功率晶体管系列。上述晶体管920~960MHz的平均输出功率高至50W,1805~1880MHz平均输出工率高至45W
At the MTT-S trade show in Atlanta, USA, in June 2008, Infineon demonstrated for the first time the frequency band for GSM / EDGE for GSM / GSM systems at 920-960 MHz And 1805 ~ 1880MHz LDMOS RF power transistor series. The average transistor 920 ~ 960MHz output power up to 50W, 1805 ~ 1880MHz average output rate up to 45W
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