低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:seaw2008
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SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料.本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2:F导电薄膜.用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究.结果表明,在360°C沉积温度下制备的SnO2:F薄膜,其方块电阻为4.7 Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高.
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