论文部分内容阅读
美国加州大学、劳伦斯伯克利国家实验室的科学家们推出一种新的计算机内存芯片,其数据存储量要比常规硅芯片高数千倍,且预估寿命将超过10亿年。此项发现预计将发表在6月10日美国化学协会的《纳米通信》杂志上。研究人员称,这种最高存储密度芯片可在几分之一秒的时间内保存超高密度的数据。此内存芯片将铁纳米粒子封闭在一个中空的铁纳米管内。