【摘 要】
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采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。
【机 构】
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中科院半导体研究所光电集成实验室,华侨大学信息科学与工程学院,
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采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。
The Er-doped SiN films were grown by magnetron sputtering and the photoluminescence spectra of the films were tested after annealing at high temperature. The films showed strong photoluminescence in the visible region and in the infrared region. The transition from high energy level to ground state of Er ions was observed. The physical properties of the sample were analyzed by RBS, the elemental composition of the film was given, and the mechanism of the transition emission of Er ions was discussed.
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