论文部分内容阅读
描述一种利用光纤频率响应法测量光强度调制器啁啾参数的方法，通过利用网络分析仪测量光强度调制器（电吸收调制器和马赫-曾德尔型铌酸锂调制器）经过光纤后的频率响应特性，从而间接测量啁啾参数，实验结果与理论相吻合。
频率响应法测量光强度调制器啁啾参数
【摘 要】
：
描述一种利用光纤频率响应法测量光强度调制器啁啾参数的方法，通过利用网络分析仪测量光强度调制器（电吸收调制器和马赫-曾德尔型铌酸锂调制器）经过光纤后的频率响应特性，从而间
【机 构】
：
北京邮电大学通信中心
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2003年1期
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 0 72 0 3 5 )~~
其他文献
多囊卵巢综合征(PCOS)是育龄妇女最常见的内分泌紊乱疾病,它首先由Stem和Leventhal于1935年提出(Stern-Leventhal综合征),其发生率约占生育年龄妇女的5%～10%[1].PCOS以持续性
面神经麻痹属中医"口僻"、"面瘫"范畴,是由外邪侵袭,脉络阻滞而发病.临床表现为口眼斜,患侧额纹消失,鼻唇沟变浅,眼不能闭合,流泪,鼓腮时患侧口角漏气,咀嚼食物时,食物常滞留
使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量
为了改善深亚微米CMOS器件p^+-poly栅中硼扩散问题，通过选择合适的注氮能量和剂量，采用多晶硅栅注氮工艺，既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数，又在栅介质内引入浓度适宜的氮，有
采用有限元法对SiO2／Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析，在此基础上，应用有限差分柬传播法（FDBPM）对应力光波导的双折射进行了计算，结果表明上包层的玻璃化过程是S
利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻，以此
《计算机操作系统原理》课程做为计算机专业和其他相关专业的专业基础课，存在课时安排少、知识点多、实验课程少等缺点。本文主要基于开源的操作系统C/OS-II的特点，讨论将该操
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经1100℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响。红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉