【摘 要】
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采用大气压等离子体喷涂和高速大气压等离子体喷涂技术制备Cu/W涂层,分别对该涂层断面的表面形貌、孔隙率、氧含量和结合强度进行测试分析.结果表明,高速大气压等离子体喷涂
【机 构】
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深圳大学物理学科与技术学院,深圳518060深圳市应用低温等离子体实验室,深圳518060;
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采用大气压等离子体喷涂和高速大气压等离子体喷涂技术制备Cu/W涂层,分别对该涂层断面的表面形貌、孔隙率、氧含量和结合强度进行测试分析.结果表明,高速大气压等离子体喷涂技术制备的Cu/W涂层在孔隙率和氧含量方面突显优势.采用高速大气压等离子体喷涂技术制备的Cu/W涂层孔隙率低于3％,且大部分孔径均小于1μm,利用EDS测得的W涂层氧含量为w(O)=0.41％,该值与真空等离子体喷涂制备的W涂层含氧量接近.与真空等离子体喷涂技术相比,高速大气压等离子体喷涂制备W涂层技术的复杂性和制作成本显著降低,在工程应用中实用可行.
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