【摘 要】
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采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备CuIn0.7Al0.3Se2（CIAS）薄膜,并对之进行450 ℃真空硒化退火处理.结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以（112）晶面优先生长.真空硒
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（51372109,51172101）,辽宁省优秀人才资助项目（LR2012009）
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采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备CuIn0.7Al0.3Se2（CIAS）薄膜,并对之进行450 ℃真空硒化退火处理.结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以（112）晶面优先生长.真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比. 薄膜为P 型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38eV,带电粒子数下降至2.41E＋17cm^-3,带电粒子迁移率增加至5.29cm2/（N·s）,电阻率升高至4.9Ω·cm.
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