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本文利用椭圆偏振光谱法测量了用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＡｌＧａＩｎＰ及ＡｌＧａＩｎＰ掺Ｓｉ两个样品，在可见光区室温下的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论（ＥＭＡ）和线性内插法计算了样品中Ａｌ的组分，并与Ｘ射线微区分析法（能谱法）的测量结果加以比较，三者结果相符。