ISSI推出首颗128M中低密度DDRDRAM

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Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V,采用4M×32构成机制,刷新率为8K,传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域,如网络和通信设备、HDTV、LCDTV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。
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