【摘 要】
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本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1^-00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1^-00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生
【基金项目】
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山东省半导体照明工程关键技术和教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目
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本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1^-00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1^-00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错（微管）缺陷。
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