为实现高压开关,功率MOSFET应如何串联连接

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【摘要】

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<正> 因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系,即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所以在总芯片面积相等的情况下,如把几个低压MOSFET串联连接,比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。图1

【作者】

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曹年裕范子坤

【出处】

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集成电路应用

【发表日期】

：

1990年3期

【关键词】

：

高压开关功率 MOSFET 串联连接

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<正> 因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系,即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所以在总芯片面积相等的情况下,如把几个低压MOSFET串联连接,比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。图1表示串联连接个数和导通电阻降低率之间的关系。从此图中可以看出,用串联连接比提高每个功率MOSFET的耐压更有优越性。但是,随着串联连接MOSFET

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