论文部分内容阅读
随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注，但高电压（40V以上）的工艺在国内基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺：锑注入，外延生长之后的光刻对准和非金属硅化物接触孔等。另外，由于成本的控制以及保证相当的市场竞争力，该套工艺开发的掩膜版层数是相当的少，仅有16层，这就给器件的调整带来了极大的复杂度和难度，一次器件的调整往往同时影响好几种器件，顾此失彼。同时基于良率的考虑，我们将主要精力集中在这些关键工艺的开发和器件的调整，最终通过所有的验证，