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以(96.0-x)ZnO-2.0Pr6O11-0.5Sb2O3-0.5Co2O3-0.5Cr2O3-0.5Y2O3-xSiO2为配方制备压敏电阻陶瓷,其中比例均为物质的量比,x分别为0.0%、0.8%、1.6%、2.4%。研究了SiO2的掺杂浓度对该体系压敏电阻陶瓷微观结构和电学性能的影响。研究表明,压敏电阻陶瓷的主晶相为六方纤锌矿型结构,同时还含有SbYO3、ZnCr2O4、ZnCo2O4、Zn7SbO12、Zn2SiO4和Pr2O3等晶相。随着SiO2掺杂浓度的增大,ZnO压敏陶瓷的三个强衍射峰逐渐向