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采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法（MVB）制备了In：ZnTe与ZnTe晶体，并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In：ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析，发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明，In：ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势，且其平均透过率基本相等，约为60％，进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收。然而，I-V测试分析发现，In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级