真空区熔特高阻硅单晶

来源 :浙江大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangtongfeng
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真空区熔特高阻硅单晶是一种纯度很高的硅材料,它是制造配置于测量仪器中的各种高阻硅探测器的基础材料。本文对硅单品导电型号、电阻率及其不均匀性、少子寿命、晶体直径等方面进行了研究,取得很好的实验结果,其中P型硅单晶电阻率达(3-10)×10~4Ω·cm。
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