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为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在（001）面扩散激活能ES D约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin。结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致。该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据。