【摘 要】
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以p型单晶硅〈100〉作为衬底材料,通过化学腐蚀法得到硅绒面表面结构,采用喷雾热解法沉积掺Al的ZnO薄膜于绒面硅上,结合微电子光刻、磁控溅射和真空蒸镀等工艺制作上、下表面
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,衡水职业技术学院
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以p型单晶硅〈100〉作为衬底材料,通过化学腐蚀法得到硅绒面表面结构,采用喷雾热解法沉积掺Al的ZnO薄膜于绒面硅上,结合微电子光刻、磁控溅射和真空蒸镀等工艺制作上、下表面电极,于400℃氮气氛围下快速退火合金,得到Ag/Ti/n-ZnO/p-Si/Al异质结太阳能电池。对电池样品进行了原子力显微镜、霍尔效应测试、X射线衍射谱、电流电压特性等分析。得到电池最佳性能为：开路电压Voc=355 mV,短路电流Isc=36 mA,填充因子FF=0.41,电池效率达到5.2%。绒面异质结构有效降低了电池表面的光反
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