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以目前最常用的LTCC材料为基础，选择Al2O3为片式熔断器基体材料。系统研究在不同烧结温度下的Al2O3-Bi2O3陶瓷基体，通过X射线衍射和扫描电镜分析了不同温度下样品的相组成及密度变化，指出形成这种相结构的可能影响因素；测试了不同频率下样品的介电性能。结果表明，Bi2O3的掺杂可以提高Al2O3陶瓷的烧结活性，进而大大降低了陶瓷的烧结温度，密度在900℃达到最大值3．7g／cm^3，陶瓷样品的主晶相为α—Al2O3，没有杂相存在，且断口形貌分布均匀没有明显的气孔存在，同时总结出了介电常数和介质损耗的