【摘 要】
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本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛
【机 构】
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上海理工大学材料科学与工程学院,镓特半导体科技（上海）有限公司
【基金项目】
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4英寸自支撑N型GaN晶圆片技术开发及产业化(上海经济信息化委员会,GYQJ-2019-1-23)。
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本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛光液p H值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)的影响。研究发现,无论是影响化学作用的因素,还是影响机械作用的因素,都对MRR有着极大的影响。在优化的工艺条件下(压力为50 kPa、抛光头转速为60 rpm、抛光盘转速为100 rpm、流量为40 mL/min、抛光液pH为4.0、氧化剂浓度为3 vo
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