【摘 要】
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给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验
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给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极管和高压p-LDMOS等器件.VDMOS测试管的耐压超过200V,集成于64路170 PDP扫描驱动芯片功率输出部分,通过了LG-model-42v6的PDP上联机验证.
The low-cost VDMOS design using Si-epitaxial BCD process is given. The epitaxial layer with a thickness of 17μm is effectively used longitudinally, and the cell area of VDMOS laterally is 324μm2. The process is simplified to 18 lithography, which is compatible with the standard CMOS, bipolar transistor and high-voltage p-LDMOS and other devices .VDMOS test tube voltage exceeds 200V, integrated in the 64 170 PDP scan driver power output section, passed the LG-model-42v6 on-line verification of the PDP.
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