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采用水热电泳沉积法在SiC-C／C复合材料SiC内涂层表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层，并借助X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对涂层的相组成及显微结构进行了表征。讨论了沉积电压对硅酸钇涂层沉积量及显微结构的影响，并研究了不同沉积电压下涂层沉积量与时间的关系，同时测试了涂层试样的抗氧化性能。研究结果表明，随着沉积电压的升高，涂层的沉积量有所增加，涂层的致密性和均匀性也逐渐得到改善。当电压为210v时达到最佳，继续升高沉积电压，涂层的均匀性变差，当沉积电压为240v时，涂层出现明显开裂；不同沉积电压