快速热退火对InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ii688

【摘要】

：

I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光特性的影响。光致发光光谱测试结果表明,快速热退火会使量子阱结构中垒层、阱层异质界面处的原子互扩散,改善量子阱材料的晶体质量,促使结构释放应力,进而提高了量子阱材料的光学性能。随着退火温度升高,量子阱材料的室温光致发光谱峰位逐渐蓝移,在500,550,

【作者】

：

申琳唐吉龙贾慧民王登魁房丹方铉林逢源魏志鹏

【机构】

：

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

：

中国激光

【发表日期】

：

2021年7期

【关键词】

：

光谱学光致发光 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱快速热退火局域态

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61574022,61674021,11674038,61704011,61904017),高功率半导体激光器国家重点实验室基金、长春理工大学青年基金(XQNJJ-2018-18)。

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