1．3μm高速PIN光电二极管

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jasonmcp

【摘要】

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综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度,优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液

【作者】

：

陶启林

【机构】

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重庆光电技术研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

光电二极管微波封装 GAINAS/INP photodiode microwave packaging GaInAs/InP

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综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度,优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装.研制的GaInAs/InP PIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0.7A/W,暗电流小于5nA.

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