【摘 要】
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综述了近年来对InAs/GaInSbⅡ型超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs/GaInSbⅡ型超晶格材料对应的工作波长范围在3~25μm,有望在LW IR和VLW IR
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院,
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综述了近年来对InAs/GaInSbⅡ型超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs/GaInSbⅡ型超晶格材料对应的工作波长范围在3~25μm,有望在LW IR和VLW IR方面替代HgCdTe。
The research results of InAs / GaInSb Ⅱ superlattice materials in recent years are summarized, and the relationship between the forbidden band width and the thickness and composition of each layer is given. InAs / GaInSb type II superlattice materials corresponding to the operating wavelength range of 3 ~ 25μm, is expected to replace HgCdTe LW IR and VLW IR.
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