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通过第一性原理研究了基于Ⅱ-Ⅳ-V2族CKP半导体中CdSiAs2的非临界位相匹配二次谐波材料.根据量化双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料.计算显示,少量的掺杂Ge（〈5%）,CdSi1-xGexAs2能够实现非临界位相匹配Ⅰ类二次谐波产生（SHG）在CO2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效χ^2.