【摘 要】
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研究了沉积在熔融玻璃基底表面的金薄膜的电输运特性和阻温特性.实验结果表明,在电流小于50 mA情况下,金薄膜在真空中的直流I-V特性与传统的RRN模型计算结果相符合;在电流大
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研究了沉积在熔融玻璃基底表面的金薄膜的电输运特性和阻温特性.实验结果表明,在电流小于50 mA情况下,金薄膜在真空中的直流I-V特性与传统的RRN模型计算结果相符合;在电流大于50 mA情况下,它与传统薄膜系统的直流I-V特性有很大区别.分析表明,熔融玻璃基底表面的非平整性以及不稳定性是影响此类薄膜特征电阻率的主要原因.此外,在一定条件下,金薄膜的阻温系数在温度为43 K附近发生正负值转变.
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