【摘 要】
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用反应磁控溅射方法在Si基片上沉积TiN膜,用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌。比较研究了尺码法、盒计数法、功率谱密度法与高度-高度相关函数法计算的表面形貌分形维数Df结
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用反应磁控溅射方法在Si基片上沉积TiN膜,用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌。比较研究了尺码法、盒计数法、功率谱密度法与高度-高度相关函数法计算的表面形貌分形维数Df结果,并研究了TiN膜表面形貌的演化特征。结果表明,功率谱密度法与高度-高度相关函数法计算的Df值与AFM观测尺度不相关,具有较好的稳定性,随着膜厚h增加,薄膜分形维数Df先减小再增加,这是由生长初期基片表面影响与生长后期的晶粒长大所导致的。
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